ડીસી સર્કિટ નિયમો

ઓહ્મનો કાયદો

I = V / R

જૌલનો કાયદો

P = V · I = I ² · R = V ² / R

શ્રેણી સર્કિટ નિયમો

V_T = V₁ + V₂ + V₃ + ...

I_T = I₁ = I₂ = I₃ = ...

R_T = R₁ + R₂ + R₃ + ...

1/C_T = 1/C₁ + 1/C₂ + 1/C₃ + ...

L_T = L₁ + L₂ + L₃ + ...

સમાંતર સર્કિટ નિયમો

V_T = V₁ = V₂ = V₃ = ...

I_T = I₁ + I₂ + I₃ + ...

1/R_T = 1/R₁ + 1/R₂ + 1/R₃ + ...

C_T = C₁ + C₂ + C₃ + ...

1/L_T = 1/L₁ + 1/L₂ + 1/L₃ + ...

વોલ્ટેજ વિભાગ

V₁ = V_T ⋅ R₁ / (R₁+R₂+R₃+...)

વર્તમાન વિભાગ

I₁ = I_T ⋅ (R₂+R₃+...) / (R₁+R₂+R₃+...)

કિર્ચહોફનો વોલ્ટેજ કાયદો (KVL)

વર્તમાન લૂપ પર વોલ્ટેજ ડ્રોપ્સનો સરવાળો શૂન્ય છે:

∑ V_i = 0

કિર્ચહોફનો વર્તમાન કાયદો (KCL)

કેટલાક સર્કિટ તત્વો વચ્ચેના જોડાણને નોડ કહેવામાં આવે છે.

નોડ પર પ્રવાહોના મૂલ્યોનો સરવાળો શૂન્ય છે:

∑ I _i = 0

ક્ષમતા

C = Q/V

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર

C = ε ⋅ A / l

ફેરાડ પ્રતિ મીટર (F/m) માં ε એ પરવાનગી છે.

અનુમતિ

ε = ε₀ ⋅ ε_r

વેક્યૂમમાં ε ₀ એ પરવાનગી છે.

ε _r એ સંબંધિત અનુમતિ અથવા ડાયલેક્ટ્રિક કોન્સ્ટન્ટ છે.

કેપેસિટરનો વર્તમાન

I_C(t) = C d V_C(t) / dt

કેપેસિટરનું વોલ્ટેજ

V _C (t) = V _C (0) + 1/ C ∫ I _C (t)⋅ dt

ઇન્ડક્ટરનું વોલ્ટેજ

V_L(t) = L d I_L(t) / dt

ઇન્ડક્ટરનો વર્તમાન

I _L (t) = I _L (0) + 1/ L ∫ V _L (t)⋅ dt

કેપેસિટરની ઊર્જા

W_C = C⋅V ² / 2

ઇન્ડક્ટરની ઊર્જા 

W_L = L⋅I ² / 2